Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ЦЕНТРОВ ЗАРОДЫШЕОБРАЗОВАНИЯ АЛМАЗНОЙ ФАЗЫ НА ПОДЛОЖКУ

Номер публикации патента: 2403327

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009125117/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B025/18   C30B029/04   C23C016/02    
Аналоги изобретения: JP 5339730 А, 21.12.1993. JP 5058784 А, 09.03.1993. KR 2008063227 А, 03.07.2008. US 5082359 А, 21.01.1992. NL 1004834 C2, 22.06.1998. JP 2009091234 А, 30.04.2009. EP 844319 A1, 27.05.1998. 

Имя заявителя: Учреждение Российской академии наук Институт прикладной физики РАН (RU) 
Изобретатели: Виноградов Александр Яковлевич (RU)
Голубев Валерий Григорьевич (RU)
Феоктистов Николай Александрович (RU) 
Патентообладатели: Учреждение Российской академии наук Институт прикладной физики РАН (RU) 

Реферат


Изобретение относится к технологии нанесения пленок на подложки, конкретно - к предварительной обработке подложек (нанесению центров зародышеобразования) для последующего роста поликристаллических алмазных пленок, применяемых в ядерной технике, в мощных непрерывных технологических CO2-лазерах, в электрохимии. Способ включает создание суспензии с весовой концентрацией наноалмазных частиц в растворе на основе воды, выбираемой из соотношения K=(a/b)(r/R)3, подачу ее в газовый поток, имеющий скорость в сопле распылителя в диапазоне от 100 до 400 м/с для распыления суспензии наноалмазных частиц и нанесения их на подложку, установленную на расстоянии от распылителя, равном от одного до двух ее диаметров, в течение времени, определяемого из соотношения t=(Sr)/((b/a)KQ), где К - весовая концентрация наноалмазных частиц в суспензии, вес.%; а - коэффициент, 110; a - плотность наноалмазных частиц, а=3.2 г/см3; в - плотность воды, в=1 г/см3; r - средний радиус наноалмазной частицы, r=(4÷15) нм; R - средний радиус распыляемых капель, R=(0.5÷10) мкм; t - время нанесения частиц, мин; - коэффициент пропорциональности, 0.050.1; S - площадь подложки, см2; Q - расход суспензии, Q=(0.06÷6.0) см3/мин. Технический результат заключается в повышении эффективности нанесения центров зародышеобразования алмазной фазы на подложку за счет повышения их поверхностной плотности и однородности нанесения при технологически целесообразном времени нанесения.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"