Учреждение Российской академии наук Институт прикладной физики РАН (RU)
Изобретатели:
Виноградов Александр Яковлевич (RU) Голубев Валерий Григорьевич (RU) Феоктистов Николай Александрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт прикладной физики РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к технологии нанесения пленок на подложки, конкретно - к предварительной обработке подложек (нанесению центров зародышеобразования) для последующего роста поликристаллических алмазных пленок, применяемых в ядерной технике, в мощных непрерывных технологических CO2-лазерах, в электрохимии. Способ включает создание суспензии с весовой концентрацией наноалмазных частиц в растворе на основе воды, выбираемой из соотношения K=(a/b)(r/R)3, подачу ее в газовый поток, имеющий скорость в сопле распылителя в диапазоне от 100 до 400 м/с для распыления суспензии наноалмазных частиц и нанесения их на подложку, установленную на расстоянии от распылителя, равном от одного до двух ее диаметров, в течение времени, определяемого из соотношения t=(Sr)/((b/a)KQ), где К - весовая концентрация наноалмазных частиц в суспензии, вес.%; а - коэффициент, 110; a - плотность наноалмазных частиц, а=3.2 г/см3; в - плотность воды, в=1 г/см3; r - средний радиус наноалмазной частицы, r=(4÷15) нм; R - средний радиус распыляемых капель, R=(0.5÷10) мкм; t - время нанесения частиц, мин; - коэффициент пропорциональности, 0.050.1; S - площадь подложки, см2; Q - расход суспензии, Q=(0.06÷6.0) см3/мин. Технический результат заключается в повышении эффективности нанесения центров зародышеобразования алмазной фазы на подложку за счет повышения их поверхностной плотности и однородности нанесения при технологически целесообразном времени нанесения.
Поиск патентов
Получить полное описание патента