Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИСТОЧНИК СВЕТА С ПОЛИМЕРНЫМ ПОКРЫТИЕМ

Номер публикации патента: 2402109

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009134068/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L033/56    
Аналоги изобретения: RU 2265917 C1, 10.12.2005. RU 47136 U1, 10.08.2005. RU 2069418 C1, 20.11.1996. RU 79215 U1, 20.12.2008. JP 2003234511 А, 22.08.2003. 

Имя заявителя: Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" (RU) 
Изобретатели: Феопёнтов Анатолий Валерьевич (RU)
Втюрина Любовь Михайловна (RU)
Васильева Елена Дмитриевна (RU) 
Патентообладатели: Закрытое акционерное общество "Светлана-Оптоэлектроника" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к светотехнике, а именно к полупроводниковым источникам света. Полупроводниковый источник света с полимерным покрытием включает полупроводниковый светоизлучающий элемент и нанесенное на него покрытие из оптически прозрачного силиконового компаунда куполообразной формы. Полупроводниковый светоизлучающий элемент выполнен в виде объемного тела, имеющего верхнее и нижнее основания и боковую поверхность. Угол между боковой поверхностью полупроводникового светоизлучающего элемента и его верхним основанием составляет величину не более 120°. Покрытие расположено непосредственно на верхнем основании полупроводникового светоизлучающего элемента таким образом, что основание покрытия вписано в площадь верхнего основания полупроводникового светоизлучающего элемента. Покрытие сформировано путем нанесения на верхнее основание полупроводникового светоизлучающего элемента капли указанного компаунда, который имеет вязкость от 2000 до 20000 сПз, с последующим отверждением нанесенного компаунда. Изобретение обеспечивает уменьшение габаритов, повышение надежности конструкции и улучшение оптических свойств полупроводникового источника. 1 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"