US 4473437 А, 25.09.1984. SU 1667529 А, 30.05.1994. SU 1099776 A1, 23.10.1990. RU 2140623 A, 27.10.1999. GB 1419034 A, 24.12.1975.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") (RU)
Изобретатели:
Нерсесов Сергей Суренович (RU) Голубский Александр Алексеевич (RU) Трусов Анатолий Аркадьевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Элпа" с опытным производством" (ОАО "НИИ "Элпа") (RU)
Реферат
Изобретение относится к способам допроявления фоторезистов и может быть использовано в области микроэлектроники интегральных пьезоэлектрических устройств на поверхностных акустических волнах (фильтры, линии задержки, резонаторы). Согласно способу подложку с фоторезистом размещают в плазмохимическом реакторе внутри перфорированного металлического цилиндра и проводят обработку в плазме смеси кислорода и инертного газа при содержании кислорода 5-15 об.% и инертного газа - 85-95 об.%, при давлении в реакторе 80-150 Па, при плотности ВЧ-мощности 0,03-0,07 Вт/см3 и времени обработки 20-210 сек. При этом в качестве инертного газа используют гелий или неон, или аргон. Технический результат - увеличение прецизионности и чистоты допроявления фоторезиста на пьезоэлектрических подложках. 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента