RU 2350996 C1, 27.03.2009. RU 2339067 C1, 20.11.2008. US 2007041703 A1, 22.02.2007. SU 1565302 A1, 27.01.1996.
Имя заявителя:
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "СИБИРСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ГЕОДЕЗИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ" (ГОУ ВПО "СГГА") (RU)
Изобретатели:
Чесноков Дмитрий Владимирович (RU)
Патентообладатели:
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "СИБИРСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ ГЕОДЕЗИЧЕСКАЯ АКАДЕМИЯ" (ГОУ ВПО "СГГА") (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике, оптической и оптоэлектронной технике, к нелитографическим микротехнологиям формирования на подложках тонкопленочных рисунков из наносимых на ее поверхность веществ. Технический результат заключается в одинаковом уменьшении размеров элементов контактной маски на всей поверхности подложки. Задача решается тем, что нагревают подложку с маской в виде пленочного слоя на поверхности подложки в инертной среде до оплавления островковых элементов, содержащихся в рисунке маски, причем материал маски не смачивает поверхность подложки. Способ взрывной литографии пленочных островковых структур на подложке содержит следующие этапы: формирование масочного островкового слоя, оплавление масочного островкового слоя, напыление слоя второго материала, удаление масочного островкового слоя, напыление третьего материала и удаление слоя второго материала. Причем материал первого слоя выбирается таким, что не смачивает поверхность подложки. 3 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента