Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ A3B5

Номер публикации патента: 2400574

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2009113444/05 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B027/02   C30B029/40    
Аналоги изобретения: US 3647389 А, 07.03.1972. JP 46-040324 В, 29.11.1971. JP 60090895 А, 22.05.1985. 

Имя заявителя: Общество с ограниченной ответственностью (ООО) "ЮниСаф-Малахит" (RU) 
Изобретатели: Бабокин Юрий Лукьянович (RU)
Елсаков Валерий Геннадьевич (RU)
Макалкин Владимир Иванович (RU)
Черных Сергей Петрович (RU) 
Патентообладатели: Общество с ограниченной ответственностью (ООО) "ЮниСаф-Малахит" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений А3В5 методом Чохральского, в частности при выращивании монокристаллов фосфидов галлия и индия и арсенида галлия из-под слоя борного ангидрида. Монокристаллы соединений А3В5 осуществляют вытягиванием из расплава на затравку под слоем борного ангидрида, который загружают в контейнер, нагревают и расплавляют. Проводят выдержку расплава борного ангидрида в течение 0,5-3 часов при температуре 900-1200°С с осевым градиентом температуры 5-40°С/см с добавлением галлия в количестве 0,8-3,0% от веса борного ангидрида. Удаляют с поверхности расплава всплывшие шлаки, а летучие примеси удаляют вентиляцией. Затем проводят вакуумирование в течение 0,5-20 часов при температуре 950-1250°С, удаляют борный ангидрида из контейнера и охлаждают. При расплавлении борного ангидрида совместно с галлием предлагается дополнительно вводить висмут в количестве 0,01-0,5% от веса борного ангидрида. Борный ангидрид может быть получен путем использования борной кислоты, часть которой в количестве 10-20% от веса загрузки помещают в контейнер и обезвоживают, затем добавляют галлий в количестве 0,4-1,5% от веса борной кислоты, после чего вводят оставшуюся часть борной кислоты и перед вакуумированием выдерживают расплав борного ангидрида в течение 0,5-2 часов. При удалении из контейнера борного ангидрида, допускается оставлять весь галлий и часть борного ангидрида в количестве 50-300% от веса исходного галлия. Затем вновь загружают борный ангидрид и повторно проводят процесс его обработки. Полученный борный ангидрид и соединение А3В5 загружают в тигель, проводят нагрев и выращивание монокристалла на затравку из расплава. Изобретение направлено на увеличение выхода годных и улучшение качества монокристаллов для оптических приборов и изготовление сверхъярких светодиодов за счет уменьшения содержания примесей в борном ангидриде и расплаве соединения А3В5. 3 з.п. ф-лы, 2 табл.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"