АЛЕКСЕЙЧИК Л.В. и др.Часть 11 Пассивные и активные СВЧ-устройства с миниатюрными диэлектрическими резонаторами в ж.: Обзоры по электронной технике, сер.1, 1982, вып.2 (865), с.7, рис.5, рис.6. RU 2295806 C1, 20.03.2007. RU 78373 U1, 20.11.2008. RU 2301481 C1, 20.06.2007. US 6323746 В1, 27.11.2001. US 4423397 А, 27.12.1983. FR 2720861 А1, 08.12.1995.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский энергетический институт (технический университет)" (ГОУВПО "МЭИ(ТУ)") (RU)
Изобретатели:
Бунин Анатолий Вениаминович (RU) Вишняков Сергей Викторович (RU) Геворкян Владимир Мушегович (RU) Казанцев Юрий Алексеевич (RU) Михалин Сергей Николаевич (RU) Полукаров Валерий Иванович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский энергетический институт (технический университет)" (ГОУВПО "МЭИ(ТУ)") (RU)
Реферат
Изобретение относится к технике СВЧ. Техническим результатом является улучшение электрических характеристик фильтра путем обеспечения хорошего теплоотвода от открытых дисковых диэлектрических резонаторов (ДДР) при сохранении высокой эффективной собственной добротности резонансных звеньев фильтра и удалении паразитных полос пропускания от функциональной полосы фильтра, который достигается за счет того, что в известном фильтре держатель (6) каждого ДДР (3) выполнен в виде первого металлического цилиндрического стержня (МЦС) (7) с диаметром D, равным (0,8-0,95)Dp, где Dp - диаметр открытых ДДР (3), и с плоскими торцевыми поверхностями (ТП) (8) и (9), перпендикулярными продольной оси первого МЦС (7), одна из которых - первая ТП (8) - присоединена к внутренней стенке (10) полого металлического экрана (1), а на противоположной - второй ТП (9) - аксиально установлен второй МЦС (11) с плоскими ТП (12) и (13), перпендикулярными продольной оси второго МЦС (11), с диаметром d1, равным (0,2-0,35)Dр, и с высотой h1, равной (0,9-1,5)Нр, где Нр - толщина открытого ДДР (3), на торце (13) второго МЦС (11) аксиально ему установлен третий МЦС (14) с диаметром d2, равным (0,5-0,6)d1, и с высотой h2, равной (0,3-0,4)h1, второй и третий МЦС (11) и (14) размещены в цилиндрической диэлектрической втулке (ЦДВ) (5) с внешним диаметром Dв, равным диаметру D первого МЦС (7), и внутренним диаметром, выбранным равным d3=(1,0-1,1)d1, причем высота h3 ЦДВ (5) определяется соотношением h3=h1+h2+kDp, где безразмерный коэффициент k лежит в пределах от 0,04 до 0,06, причем вторая из ТП (15) ЦДВ (5) присоединена к второй ТП (9) первого МЦС (7). 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента