Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


БЕСЦВЕТНЫЙ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ АЛМАЗ, ПОЛУЧЕННЫЙ ХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ ПРИ ВЫСОКОЙ СКОРОСТИ РОСТА

Номер публикации патента: 2398922

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007148460/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B025/10   C30B029/04   C23C016/27    
Аналоги изобретения: US 2003084839 A1, 08.05.2003. JP 63182297 A, 27.07.1988. JP 60231498 A, 18.11.1985. US 5531184 A, 02.07.1996. ZHANG, Y. et al, Characteristics of diamond crystals deposited on quartz substrates by chemical vapor deposition, "Journal of Crystal Growth", 1996, vol.169, no.4, p.p.722-726. 

Имя заявителя: КАРНЕГИ ИНСТИТЬЮШН ОФ ВАШИНГТОН (US) 
Изобретатели: ХЕМЛИ Расселл Дж. (US)
МАО Хо-Кванг (US)
ЯН Чих-Шию (US) 
Патентообладатели: КАРНЕГИ ИНСТИТЬЮШН ОФ ВАШИНГТОН (US) 
Приоритетные данные: 25.05.2005 US 60/684,168 

Реферат


Изобретение относится к технологии получения бесцветного (то есть прозрачного для УФ-, видимого и ИК-излучения) монокристаллического алмаза с высокой скоростью роста. Способ включает регулирование температуры поверхности роста алмаза так, чтобы все градиенты температуры на поверхности роста алмаза не превышали примерно 20°С, и выращивание на поверхности роста монокристаллического алмаза химическим осаждением из газовой фазы в СВЧ-плазме при температуре роста в камере осаждения, атмосфера в которой содержит от примерно 8% до примерно 20% CH4 на единицу H2 и от примерно 5% до примерно 25% О2 на единицу СН4. Способом, являющимся объектом настоящего изобретения, могут быть получены алмазы крупнее 10 карат. При использовании данного способа скорость роста может быть более 100 мкм/ч. 3 н. и 26 з.п. ф-лы, 11 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"