Белозубов Евгений Михайлович (RU), Васильев Валерий Анатольевич (RU), Чернов Павел Сергеевич (RU)
Изобретатели:
Белозубов Евгений Михайлович (RU) Васильев Валерий Анатольевич (RU) Чернов Павел Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Белозубов Евгений Михайлович (RU) Васильев Валерий Анатольевич (RU) Чернов Павел Сергеевич (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении датчиков давления повышенной точности, устойчивых к воздействию нестационарных температур. Техническим результатом изобретения является повышение точности измерения датчиков давления, имеющих мембрану с жестким центром, путем улучшения линейности выходной характеристики в условиях воздействия нестационарных температур. Способ изготовления нано- и микроэлектромеханической системы датчика давления с тензорезисторами, установленными на мембране с жестким центром, заключается в том, что на планарной стороне металлической мембраны с жестким центром методом термического испарения образуют гетерогенную структуру из нано- и микроразмерных пленок материалов. После чего с использованием фотолитографии и травления формируют по окружности одинакового радиуса радиальные и окружные тензорезисторы из идентичных тензоэлементов, контактные проводники и контактные площадки к ним. Радиальные и окружные тензорезисторы из идентичных тензоэлементов формируют по окружности с радиусом, который перед этим определяют по соответствующему соотношению. Датчик давления содержит корпус, установленную в нем нано- и микроэлектромеханическую систему (НиМЭМС), состоящую из мембраны с жестким центром, образованной на ней гетерогенной структуры из тонких пленок материалов, герметизирующей контактной колодки, соединительных проводников, в которой тензорезисторы, установленные по дуге окружности и в радиальном направлении, состоят из идентичных тензоэлементов, соединенных тонкопленочными перемычками. Центры окружных и радиальных тензоэлементов размещены по окружности, радиус которой определен соответствующим соотношением. 2 н.п. ф-лы, 11 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента