US 5308990 А, 03.05.1994. US 4039833 А, 02.08.1977. ЕР 0829907 A1, 18.03.1998. RU 63600 U1, 27.05.2007.
Имя заявителя:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Ефимов Валерий Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении гибридных интегральных детекторов инфракрасного излучения, стойких к многократным циклам охлаждения-нагревания. Сущность изобретения: гибридная структура для детектора инфракрасного излучения, состоит из слоя регистрации инфракрасного излучения, соединенного со слоем преобразования сигнала в электрические импульсы множеством микроконтактов, расположенных на одной поверхности слоя преобразования сигнала в электрические импульсы, а ко второй поверхности слоя преобразования сигнала в электрические импульсы присоединена подложка, которая изготовлена полностью по технологии изготовления слоя регистрации инфракрасного излучения и присоединена к слою преобразования сигнала в электрические импульсы множеством микросоединений, выполненных на подложке идентично микроконтактам таким образом, что получена конструкция, симметричная относительно слоя преобразования сигнала в электрические импульсы. Техническим результатом изобретения является упрощение выбора параметров подложки и устранение необходимости проведения трехмерного моделирования при модификации структуры при одновременном устранении прогиба гибридной структуры для детектора инфракрасного излучения в процессе его охлаждения и увеличении в полтора раза стойкости структуры к многократным циклам охлаждения-нагревания. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента