SU 746219 A1, 05.07.1980. RU 2028588 C1, 09.02.1995. RU 2028584 C1, 09.02.1995. RU 2092801 C1, 10.10.1997. EP 0348658 A2, 03.01.1990.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) (RU)
Изобретатели:
Белозубов Евгений Михайлович (RU) Васильев Валерий Анатольевич (RU) Васильева Светлана Александровна (RU) Громков Николай Валентинович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано для измерения давления в условиях воздействия нестационарных температур (термоудара) измеряемой среды. Техническим результатом изобретения является повышение точности измерения давления в условиях воздействия термоудара за счет улучшения линейности и уменьшения влияния температурных деформаций мембраны на выходной сигнал измерительного моста. Датчик давления на основе тензорезисторной тонкопленочной нано- и микроэлектромеханической системы (НиМЭМС) содержит корпус, установленную в нем НиМЭМС, состоящую из упругого элемента - мембраны, жестко заделанной по контуру, сформированной на ней гетерогенной структуры из тонких пленок материалов, герметизирующей контактной колодки, соединительных проводников. Образованные в гетерогенной структуре тензорезисторы, установленные по дуге окружности и в радиальном направлении, состоят из идентичных тензоэлементов в форме квадратов, соединенных тонкопленочными перемычками, включенными в измерительный мост. Центры окружных и радиальных тензоэлементов размещены по окружности, радиус которой r0 определен по соответствующему соотношению. 8 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента