Настоящее изобретение относится к способу фотохимического отверждения толстослойных этиленовоненасыщенных систем светоизлучающим диодным источником света. Описан способ отверждения этиленовоненасыщенных способных полимеризоваться соединений, для получения покрытий, наружных смоляных слоев или клеев, обладающих толщиной сечения толще чем примерно 0,25 мм, который включает добавление к указанным соединениям по меньшей мере одного ацилфосфиноксидного фотоинициатора и облучение полученной таким образом смеси светом от светоизлучающего диодного источника. Технический результат - хорошее поверхностное отверждение и хорошее отверждение в массе без образования поверхностных морщин в случае толстых сечений. 14 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента