WO 2006/122252 А2, 16.11.2006. RU 2340041 С1, 27.11.2008. US 6936850 В2, 30.08.2005. US 7026650 В2, 11.04.2006. US 7368371 В2, 06.05.2008. JP 2004335815 А, 25.11.2004. JP 2002134760 A, 10.05.2002. KR 20000051336 A, 16.08.2000.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Грехов Игорь Всеволодович (RU) Иванов Павел Анатольевич (RU) Потапов Александр Сергеевич (RU) Самсонова Татьяна Павловна (RU) Коньков Олег Игоревич (RU) Ильинская Наталья Дмитриевна (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электронной техники, а более конкретно - к технологии создания высоковольтных полупроводниковых диодов, и может быть использовано для создания интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния. Сущность изобретения: способ изготовления интегрированных Шоттки-pn диодов на основе карбида кремния включает создание р-областей с прямоугольным профилем легирования имплантацией ионов бора с энергиями из интервала значений (190÷700) кэВ и дозами из интервала (1×1013÷1×1015) см-2 в слаболегированный эпитаксиальный слой карбида кремния n-типа, расположенный на сильнолегированной подложке карбида кремния n-типа, при комнатной температуре через маску из фоторезиста для одновременного формирования основного охранного pn-перехода, плавающих охранных колец и подконтактных р-областей. Имплантацию выполняют фотолитографией с разрешением от 0.5 мкм до 1 мкм, затем производят отжиг в инертной атмосфере при температуре из интервала (1500÷1600)°С в течение времени (30÷90) минут под слоем нанесенного графита. Далее проводят окисление поверхности, напыление на обратную сторону пластины никеля и его вжигание для формирования омического контакта, вскрытие окон в окисле и напыление никелевого Шоттки-контакта с последующим отжигом в инертной атмосфере. Изобретение позволяет получить интегрированные Шоттки-pn диоды с увеличенным напряжением пробоя более простым и дешевым способом при сохранении быстродействия.
Поиск патентов
Получить полное описание патента