Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени. ICQ *:462-999-592

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


CVD - РЕАКТОР И СПОСОБ СИНТЕЗА ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ

Номер публикации патента: 2394117

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008110877/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B025/02   C30B025/14   C30B029/36   C23C016/455    
Аналоги изобретения: US 6299683 B1, 09.10.2001. RU 2162117 C2, 20.01.2001. FURUMURA Y. et al. Heteroepitaxial B-SiC on Si, "J. Electrochem. Soc.", 1988, vol.135, no.5, p.p.l255-1260. FUJIWARA Y. et al. Epitaxial growth of 3CSiC on Si by low-pressure chemical vapor deposition, "Appl. Phys. Lett", 1986, vol.49, no.7, p.p.388-390. 

Имя заявителя: Общество с ограниченной ответственностью Научно-Производственная Фирма "ЭПИКРИСТ" (RU) 
Изобретатели: Синельников Борис Михайлович (RU)
Тарала Виталий Алексеевич (RU)
Митченко Иван Сергеевич (RU) 
Патентообладатели: Общество с ограниченной ответственностью Научно-Производственная Фирма "ЭПИКРИСТ" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур. Реактор для синтеза гетероэпитаксальных пленок карбида кремния на кремниевой подложке путем химического осаждения из газовой фазы включает кварцевую трубу с размещенным в ней контейнером 5 с подложкой 1, нагреватели 6 с резистивным или индукционным типом нагрева и средства подачи в зону синтеза компонентов пленки и водорода, при этом средство подачи водорода содержит активный водород и выполнено в виде трубок 9, расположенных в верхней и нижней стенках контейнера 5 и содержащих отверстия, направленные по нормали к подложке 1, а средство подачи компонентов пленки размещено в испарителе 10 с газораспределительным кольцом с отверстиями, через которые данные компоненты вводятся в зону синтеза параллельно подложке, при этом указанные средства подачи размещены отдельно друг от друга. Отличительная особенность реактора заключается в том, что нагреватели и подложки располагаются параллельно, образуя сэндвич. Данная конструкция позволяет более эффективно использовать излучение от каждого нагревателя. Синтез пленки карбида кремния осуществляют в условиях пониженного давления от 5·102 до 5·10-2 Па на поверхности как минимум двух кремниевых подложек, имеющих температуру от 800 до 1380°С, и при температуре водорода выше температуры подложки и компонентов пленки как минимум на 100°С. Изобретение позволяет синтезировать высококачественные гетероэпитаксиальные монокристаллические пленки карбида кремния на кремнии при температурах до 1400°С. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"