RU 2102046, 20.01.1998. RU 2157260, 02.08.1999. US 5147284, 15.09.1992. САФИНА З.М. Роль системных механизмов нейроэлектростимуляции в эффектах повторных курсов электролечения глазной патологии. Материалы 14-й Международной конференции по нейрокибернетике. - Ростов-на-Дону, 2005, т.2, с.303-307, он-лайн, [найдено 24.09.2009] [найдено из Интернет]http://www.rjo.ru/article/index.php?rash=art&id=92. WELLS J. et al, Biophysical mechanisms of transient optical stimulation of peripheral nerve Biophys J. 2007, 93 (7), с.2567-80, он-лайн, [найдено 24.09.2009] [найдено из Интернет] http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed/17526565?ordinalpos=2&itool=EntrezSystem2.PEntrez.Pubmed.Pubmed_ResultsPanel.Pubmed_DefaultReportPanel.Pubmed_RVD ocSum.
Имя заявителя:
Федеральное государственное учреждение Российский научно-исследовательский нейрохирургический институт им. А.Л. Поленова (RU)
Изобретатели:
Чибисова Александра Николаевна (RU) Федоров Антон Борисович (RU) Берснев Валерий Павлович (RU) Чибисова Юлия Михайловна (RU) Малова Александра Михайловна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное учреждение Российский научно-исследовательский нейрохирургический институт им. А.Л. Поленова (RU)
Реферат
Изобретение относится к медицине и предназначено для лечения зрительных расстройств после удаления опухоли головного мозга. Проводят фотостимуляцию в частотных режимах 4-35 Гц, наиболее характерных ритмах биоэлектрической активности мозга. По энцефалограмме определяют усвоение предлагаемых ритмов световых мельканий в пораженном и интактном полушариях мозга. Проводят совмещенную световую и электрическую стимуляцию вначале афферентного зрительного входа пораженного полушария мозга в частотном диапазоне 4-9 Гц, а затем - интактного полушария мозга в частотном диапазоне 10-35 Гц. Контролируют изменение частотных параметров усвоения световых мельканий и корригируют режимы воздействий. Курс лечения - 10-15 сеансов. Способ позволяет подобрать адекватные частотные режимы воздействий, способных вызвать ответную реакцию мозга. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента