PEARTON S.J. et al. Effects of defects and doping on wide band gap ferromagnetic semiconductors. Physica B: Condensed Matter Volumes 340-342, 31 December 2003, p.39-47. RU 1167997 С, 09.01.1995. RU 1732706 С, 10.03.1995. JP11-273948 А, 08.10.1999. JP 9-129428 А, 16.05.1997. JP 60-164302 А, 27.08.1985.
Имя заявителя:
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН) (RU)
Изобретатели:
Нипан Георгий Донатович (RU) Кецко Валерий Александрович (RU) Кольцова Татьяна Николаевна (RU) Стогний Александр Иванович (BY) Янушкевич Казимир Иосифович (BY) Паньков Владимир Васильевич (BY) Кузнецов Николай Тимофеевич (RU)
Патентообладатели:
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковым материалам на основе оксидов металлов, в частности к гомогенным поликристаллическим материалам на основе сложных оксидов класса разбавленных магнитных полупроводников. Может использоваться в спинтронике. Полупроводниковый ферримагнитный материал имеет температуру перехода в парамагнитное состояние ТК=470-520 К и представляет собой твердый раствор оксидов цинка, алюминия или галлия, магния и железа, отвечающий формуле (ZnAl2O4)1-x(MgFe2O4)x или (ZnGa2O4)1-x(MgFe2O4)x, где х=0,01÷0,10. Материал обладает термической стабильностью. 6 ил., 3 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента