US 4652757 А 24.03.1987. US 4352016 А 28.09.1982. JP 62044652 А 26.02.1986. US 2001054693 A1 27.12.2001.
Имя заявителя:
Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Румянцев Валерий Дмитриевич (RU) Ащеулов Юрий Владимирович (RU) Малевский Дмитрий Андреевич (RU)
Патентообладатели:
Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего контроля качества чипов полупроводниковых фотопреобразователей, в частности солнечных элементов. Установка для тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе соединений Al-Ga-In-As-Р включает лазер (1) с длиной волны излучения 0,40-0,55 мкм, модулятор (2) излучения, линзу (3), платформу (6) для размещения матрицы (5) тестируемых чипов (4), объектив (7), оптические фильтры (8, 9), пропускающие в диапазоне 0,6-0,8 мкм, светонепроницаемый круглый экран (10) и фотоприемник (11), фоточувствительный к излучению с длинами волн более 0,6 мкм, установленные на одной оптической оси. Экран (10) установлен перед фотоприемником (11) и закрывает его центральную часть от попадания фотолюминесцентного излучения из облучаемого участка чипа в фотоприемник, подключенный через узкополосный усилитель (12) к контроллеру (13) с блоком памяти (14). В качестве упомянутого лазера использован лазер с длиной волны излучения 0,53 мкм, выполненный из алюмоиттриевого граната, легированного неодимом, включающий устройство удвоения частоты. Также установка снабжена двумя шаговыми двигателями, подключенными к контроллеру, для возвратно-поступательного перемещения основания в двух взаимно перпендикулярных направлениях. Технический результат заключается в разработке установки, которая бы позволила упростить процесс тестирования и сократить время, затрачиваемое на проверку отдельных чипов. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента