WO 0043577 A1, 27.07.2000. DE 10055182 A1, 29.05.2002. WO 2004053187 A1, 24.06.2004. SU 843028 A1, 30.06.1981.
Имя заявителя:
АЙКСТРОН АГ (DE)
Изобретатели:
КЕППЕЛЕР Йоханнес (DE) ВИШМЕЙЕР Франк (DE)
Патентообладатели:
АЙКСТРОН АГ (DE)
Приоритетные данные:
24.12.2004 DE 102004062553.0
Реферат
Изобретение относится к аппаратурному оформлению процесса осаждения из газовой фазы кристаллических слоев на кристаллическую подложку. Устройство для осаждения, в частности, кристаллических слоев на, по меньшей мере, одну, в частности, кристаллическую подложку с образованной несколькими стеновыми частями 1, 2, 3, 4 технологической камерой 5, стеновые части 1, 2, 3, 4 которой электропроводны и стыкуются друг с другом с образованием контактов 2', 2'', 3', 3'' касания, с заключающим в себе стеновые части 1, 2, 3, 4 технологической камеры, состоящим из неэлектропроводного материала корпусом 6 реактора и с окружающей стеновые части 1, 2, 3, 4 технологической камеры нагревательной катушкой 7 высокой частоты, содержит расположенную между корпусом 6 реактора и стенками 1, 2, 3, 4 технологической камеры, выполненную в виде одной детали, массивную экранирующую нагревательную трубку 8, материал которой является электропроводным в такой степени, что она нагревается от вихревых токов, индуцированных созданным посредством катушки 7 высокой частоты высокочастотным полем, в значительном объеме подавляет высокочастотное поле и окружает технологическую камеру 5 таким образом, что стеновые части 1, 2, 3, 4 технологической камеры нагреваются с помощью теплового излучения. Изобретение позволяет предотвратить локальное нагревание в области зон касания отдельных стеновых частей технологической камеры, что обеспечивает внутри нее равномерный температурный профиль. 13 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента