US 6582513 B1, 24.06.2003. US 5955155 A, 21.09.1999. ГАРГИН В.Г. Влияние условий нагрева на прочность синтетических алмазов. Сверхтвердые материалы, 1981, 4, с.9-11. КОСТОВ И. Кристаллография. - М.: МИР, 1965, с.108.
Имя заявителя:
КАРНЕГИ ИНСТИТЬЮШН ОФ ВАШИНГТОН (US)
Изобретатели:
ХЕМЛИ Расселл Дж. (US) МАО Хо-Кванг (US) ЯНЬ Чжи-Шию (US)
Патентообладатели:
КАРНЕГИ ИНСТИТЬЮШН ОФ ВАШИНГТОН (US)
Приоритетные данные:
10.09.2004 US 60/608,516
Реферат
Изобретение относится к технологии получения сверхпрочного монокристалла алмаза, выращенного с помощью индуцированного микроволновой плазмой химического осаждения из газовой фазы. Способ включает размещение кристаллического зародыша алмаза в теплопоглощающем держателе, сделанном из вещества, обладающего высокой точкой плавления и высокой теплопроводностью, чтобы минимизировать температурные градиенты в направлении от края до края поверхности роста алмаза, управление температурой поверхности роста алмаза так, чтобы температура растущих кристаллов алмаза находилась в диапазоне примерно 1050-1200°С, выращивание монокристалла алмаза с помощью индуцированного микроволновой плазмой химического осаждения из газовой фазы на поверхности роста алмаза в камере осаждения, в которой атмосфера характеризуется соотношением азота к метану примерно 4% N2/CH4, и проведение отжига монокристалла алмаза таким образом, что отожженный монокристалл алмаза имеет прочность, по меньшей мере, примерно 30 МПа м1/2. 3 н. и 23 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента