Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Банк
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


МОНОКРИСТАЛЛ САПФИРА, СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ (ВАРИАНТЫ) И ИСПОЛЬЗУЕМОЕ В НЕМ ПЛАВИЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО

Номер публикации патента: 2388852

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2006135362/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/34   C30B029/20   C30B029/64    
Аналоги изобретения: US 4402786 А, 06.09.1983. SU 1758913 A1, 30.08.1992. NOVAK R.E. et al. The production of EFG sapphire ribbon for heteroepitaxial silicon substrate. Journal of Crystal Growth. 1980, vol.50, no.1, p.143-150. DD 202901 A1, 05.10.1983. WADA KAZUMI et al. Growth and characterization of sapphire ribbon crystals. Journal of Crystal Growth. 1980, vol.50,no.1, p.151-159. LaBELLE H.E. EFG, the invention and application to sapphire growth. Journal of Crystal Growth. 1980, vol.50, no.1, p.8-17. GB 2044630 A, 22.10.1980. JP 2003112998 A, 18.04.2003. 

Имя заявителя: СЭНТ-ГОБЭН КЕРАМИКС ЭНД ПЛАСТИКС, ИНК. (US) 
Изобретатели: ЛОЧЕР Джон Уолтер (US)
ЗАНЕЛЛА Стивен Энтони (US)
МАКЛИН Ральф Лэмпсон мл. (US)
БЭТС Херберт Илсуорт (US) 
Патентообладатели: СЭНТ-ГОБЭН КЕРАМИКС ЭНД ПЛАСТИКС, ИНК. (US) 
Приоритетные данные: 08.04.2004 US 10/820,468 

Реферат


Изобретение имеет отношение к созданию монокристаллических компонентов из сапфира, широко используемых в оптических применениях, в том числе военных и промышленных. Раскрыты монокристаллические листы сапфира, имеющие желательные геометрические параметры, в том числе с длиной больше ширины, которая больше толщины, при этом ширина составляет не меньше чем 28 см, а изменение по толщине не превышает 0,2 см. Монокристаллы могут иметь и другие геометрические параметры, такие как максимальное изменение толщины, причем кристаллы после выращивания могут иметь главным образом симметричный участок шейки, связанный с переходом от шейки в основное тело кристалла. Способ изготовления монокристалла сапфира включает создание расплава в тигле, имеющем кристаллизатор, при этом горизонтальное поперечное сечение тигля отличается от кругового, и он имеет коэффициент формы, составляющий, по меньшей мере, 2:1, при этом коэффициент формы определен как отношение длины тигля к ширине тигля, динамическую регулировку температурного градиента вдоль кристаллизатора и вытягивание монокристалла из кристаллизатора. Изобретение позволяет создавать листы сапфира больших размеров и массы с однородной толщиной при умеренных производственных затратах. 3 н. и 50 з.п. ф-лы, 6 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"