Duncan J.MACQUARRIE, Susan E.FAIRFIELD. The Heck reaction at a silica surface. Functionalisation of simple organo-modified silicas. J. Mater. Chem. 1977, v.7, N 11, p.2201-2204. Xi Chen et al. Optical rubbery ormosils for the detection of ammonia. Fresenius J.Anal. Chem., 2001, v.370, p.1048-1051. E.O.OH, R.K.GUPTA, C.M.WHANG
Имя заявителя:
Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова Сибирского отделения Российской академии наук (НИОХ СО РАН) (статус государственного учреждения) (RU)
Изобретатели:
Шелковников Владимир Владимирович (RU) Орлова Наталья Алексеевна (RU) Каргаполова Ирина Юрьевна (RU)
Патентообладатели:
Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова Сибирского отделения Российской академии наук (НИОХ СО РАН) (статус государственного учреждения) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области синтеза прекурсоров для модификации нано- и микрочастиц кремнезема функциональными органическими соединениями. Техническая задача - получение прекурсора, обеспечивающего устойчивую химическую модификацию частиц кремнезема за счет повышения количества алкосисилильных групп прекурсора, связанных с функциональной органической молекулой, что приводит к повышению скорости и степени связывания прекурсора с поверхностью кремнеземной частицы. Заявлен прекурсор с несколькими триалкоксисилильными группами - олиго-4-[2-(4-{[3-(2-триметоксисиланил-этил)-циклогексилокси]-гидрокси-метокси}-фенил)-винил]-2,6-диметилпирилий перхлорат. Предложен способ его получения реакцией катионной сополимеризации с раскрытием эпоксидного цикла органического соединения, имеющего эпоксидную группу и триалкоксисилильную группу, и эпоксипроизводного органической функциональной молекулы, предназначенной для модификации поверхности или частиц кремнезема, и способ модификации частиц кремнезема полученным прекурсором. Частицы кремнезема, модифицированные данным прекурсором, могут быть использованы в качестве индикатора к присутствию аминосодержащих соединений, в частности бутиламина. 3 н.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента