US 4959701 A, 25.09.1990. WO 2006/5803 A1, 19.01.2006. JP 2004336003 A, 25.11.2004 l. RU 2138065 C1, 20.09.1999. SU 1436794 A1, 05.05.1986.
Имя заявителя:
АУРОЛА Артто (FI)
Изобретатели:
АУРОЛА Артто (FI)
Патентообладатели:
АУРОЛА Артто (FI)
Приоритетные данные:
05.01.2006 FI PCT/FI2006/000009
Реферат
Полупроводниковый детектор излучения содержит подложку из полупроводникового материала, на первой стороне которой в перечисленном порядке расположены: слой модифицированного внутреннего затвора из полупроводника с электропроводностью второго типа, запирающий слой из полупроводника с электропроводностью первого типа и пиксельные полупроводниковые области легирования с электропроводностью второго типа. Пиксельные легирования адаптированы к созданию соответствующих им пикселей (элементов изображения) хотя бы при одном значении приложенного к ним пиксельного напряжения. Устройство содержит первый контакт из полупроводника с электропроводностью первого типа. Указанное значение пиксельного напряжения определяется как разность потенциалов между пиксельным легированием и первым контактом. Подложка обладает электропроводностью первого типа. На второй стороне подложки, противоположной первой стороне, отсутствует проводящий задний слой, который обычно используется для вывода вторичных зарядов из активной области детектора и в качестве окна для ввода излучения. Изобретение позволяет создать полупроводниковый детектор излучения, содержащий модифицированный внутренний затвор, в котором устраняются проблемы, создаваемые проводящим задним слоем, также получить структуру для полупроводникового детектора излучения, при которой сигнальный заряд может стираться малым напряжением, и получить средства для более полного разделения генерируемых поверхностью зарядов и сигнальных зарядов. 2 н. и 28 з.п. ф-лы, 69 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента