RU 2178602 С2, 20.01.2002. RU 2231808 C1, 27.06.2004. EP 0777277 A1, 04.06.1997. US 6043495 A, 28.03.2000.
Имя заявителя:
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" (RU)
Изобретатели:
Васенков Александр Анатольевич (RU) Ильичев Эдуард Анатольевич (RU) Кацоев Валерий Витальевич (RU) Кацоев Леонид Витальевич (RU) Кочержинский Игорь Константинович (RU) Полторацкий Эдуард Алексеевич (RU) Рычков Геннадий Сергеевич (RU) Гнеденко Валерий Герасимович (RU) Федоренко Станислав Николаевич (RU)
Патентообладатели:
ФГУП "Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина" (RU)
Реферат
Изобретение относится к твердотельным детекторам ионизирующих излучений. В твердотельный детектор ионизирующих излучений, содержащий полупроводниковую подложку с омическим контактом к ее тыльной стороне, с расположенным на ее лицевой стороне изотипным подложке полупроводниковым слоем, с расположенным на этом слое полупроводниковым высокоомным слоем, с расположенным на высокоомном слое слоем противоположного подложке типа проводимости и расположенным на последнем контактным слоем, причем последние два слоя выполнены в виде гальванически не связанных областей, дополнительно вводят микроструктурированный слой из алмаза С*, слаболегированный акцепторами, расположенный на упомянутом выше контактном слое, и второй контактный слой, расположенный на лицевой стороне упомянутого алмазного микроструктурированного слоя. Технический результат - повышение чувствительности детектора. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента