KR 20040076473 А, 01.09.2004. US 5280013 А, 18.01.1994. JP 5043386 А, 23.02.1993. WO 2004012277 A2, 05.02.2004.
Имя заявителя:
Закрытое акционерное общество "СУПЕРОКС" (RU)
Изобретатели:
Самойленков Сергей Владимирович (RU) Кауль Андрей Рафаилович (RU) Горбенко Олег Юрьевич (RU) Корсаков Игорь Евгеньевич (RU) Амеличев Вадим Анатольевич (RU)
Патентообладатели:
Закрытое акционерное общество "СУПЕРОКС" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области химической технологии получения покрытий так называемых сверхпроводящих проводников второго поколения. Способ получения двухстороннего сверхпроводника второго поколения методом химического осаждения металлоорганических соединений из паровой фазы в трубчатом реакторе химического осаждения заключается в том, что сначала в трубчатом реакторе одновременно на две стороны движущейся длинномерной подложки осаждают из паров металлорганических соединений буферный слой при температуре 350-850°С, а затем, в указанном реакторе, одновременно на две стороны движущейся длинномерной подложки на нанесенный буферный слой осаждают из паров металлоорганических соединений сверхпроводящий слой при температуре 650-850°С, при этом нагрев трубчатого реактора осуществляют с помощью нагревательных элементов, расположенных вдоль внешней поверхности трубчатого реактора, давление в трубчатом реакторе поддерживают равным 0,1-100 Мбар, металлоорганические соединения предварительно испаряют в испарителе при температуре 150-300°С и газом-носителем подают в зону осаждения трубчатого реактора, движение подложки осуществляют со скоростью 1-10 м/час, а с двух противоположных сторон трубчатый реактор продувают газообразным потоком. Изобретение позволяет наносить буферный и сверхпроводящий слой одновременно на обе стороны длинномерной металлической ленты-носителя и тем самым удвоить величину критического тока единичного проводника, расширить выбор типов используемых подложек, снизить температуру осаждения при повышении качественных характеристик осаждаемых буферных и сверхпроводящих слоев, повысить давление проведения процесса. 12 з.п. ф-лы, 1 табл., 10 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента