RU 2309481 С2, 27.10.2007. SU 1834719 A3, 15.08.1993. US 5520744 A, 28.05.1996. US 5954885 A, 21.09.1999. US 6405452 B1, 18.06.2002. US 6598312 B2, 29.07.2003. US 6946036 B2, 20.09.2005. JP 2000315672 A, 14.11.2000. CN 1787178 A, 14.06.2006.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" ОАО "НИИПМ" (RU)
Изобретатели:
Комаров Валерий Николаевич (RU) Комаров Роман Валерьевич (RU) Сергеев Сергей Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" ОАО "НИИПМ" (RU)
Реферат
Изобретение относится к технике индивидуальной обработки подложек и может быть использовано при производстве изделий электронной техники, в частности при отмывке и сушке стеклянных подложек для жидкокристаллических экранов, полупроводниковых пластин и фотошаблонов. Сущность изобретения: в способе отмывки и сушки подложек подложки ступенчато опускают в ванну отмывки деионизованной водой и сканируют подложку мегазвуковым излучением, установленным в ванне, по всей ширине подложки и отмывают ее. После чего подложку поднимают медленно в камеру сушки. В процессе выхода подложки из деионизованной воды на обе стороны ее подают пары органического растворителя непосредственно в зону выхода подложки с помощью двух трубок с рядом отверстий. Предложено устройство для реализации заявленного способа. Техническим результатом изобретения является повышение качества отмывки и сушки подложек, повышение производительности, а также расширение технологических возможностей. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента