Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ НА КРИСТАЛЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН С ДВУХСТОРОННИМ ТОНКОПЛЕНОЧНЫМ ПОКРЫТИЕМ

Номер публикации патента: 2385218

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008148359/02 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: B26F003/00   H01L021/00    
Аналоги изобретения: ЗАПОРОЖСКИЙ В.П. и др. Обработка полупроводниковых материалов. - М.: Высшая школа, 1988, с.86-95. SU 459817 А, 31.03.1975. RU 2226183 С2, 27.03.2004. JP 03-205846 A, 09.09.1991. US 5961852 A, 05.10.1999. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет-УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (RU) 
Изобретатели: Жуков Юрий Николаевич (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет-УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам разделения на кристаллы полупроводниковых пластин с двухсторонним тонкопленочным покрытием, и может быть использовано при получении кристаллов термодатчиков и термометров. Способ включает формирование рисок алмазным лезвийным инструментом на поверхности пластины и разделение путем изгиба пластины. При этом риски формируют на обеих сторонах пластины. Риски, располагаемые на растягиваемой при разделении стороне пластины, формируют на глубину 1,1÷1,3 от толщины покрытия, а на сжимаемой стороне - на глубину 2,5÷3,0 от толщины покрытия. Технический результат - повышение надежности разделения и увеличение выхода годных кристаллов. 3 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"