US 2005252545 A1, 17.11.2005. WO 2007128060 A1, 15.11.2007. US 6423977 B1, 23.07.2002. EP 1758178 A2, 28.02.2007. DE 102002038034 B3, 10.05.2007. WO 2006072598 A1, 13.07.2006.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Румянцев Валерий Дмитриевич (RU) Ащеулов Юрий Владимирович (RU) Малевский Дмитрий Андреевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего контроля качества чипов полупроводниковых фотопреобразователей. Способ тестирования чипов каскадных фотопреобразователей на основе соединений Al-Ga-In-As-P включает облучение участка поверхности тестируемого чипа лазерным излучением с длиной волны (0,40-0,55) мкм, направление возникающего в необлученном участке чипа фотоэлектролюминесцентного излучения на фотоприемник, имеющий фоточувствительность к излучению с длиной волны более 0,6 мкм, измерение интенсивности фотоэлектролюминесцентного излучения и определение качества чипа. Устройство для тестирования содержит лазер с длиной волны излучения 0,40-0,55 мкм, линзу, платформу для размещения матрицы тестируемых чипов, установленную на основании, объектив, оптический фильтр и фотоприемник, фоточувствительный к излучению с длинами волн более 0,6 мкм, установленные на одной оптической оси, и экран. Фотоприемник подключен через усилитель к контроллеру с блоком памяти. Технический результат - разработка такого бесконтактного способа тестирования чипов каскадных ФП на основе соединений Al-Ga-In-As-P и устройства для его осуществления, которые бы позволили упростить процесс тестирования и сократить время, затрачиваемое на проверку отдельных чипов. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента