US 2002114367 А1, 22.08.2002. US 2005175044 A1, 11.08.2005. US 2005008048 A1, 13.01.2005. RU 2205468 C1, 09.07.2002.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Портной Ефим Лазаревич (RU) Гаджиев Идрис Мирзебалович (RU) Соболев Михаил Михайлович (RU) Бакшаев Илья Олегович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Двухсекционный лазер на основе соединений AlGaAs/GaAs включает ограниченную двумя зеркалами подложку GaAs n-типа, на которой расположены поглощающая и усиливающая секции. Секции изолированы друг от друга зазором из полупроводникового материала с имплантированными в него тяжелыми ионами. Каждая секция содержит последовательно расположенные на упомянутой подложке буферный слой GaAs n-типа, переходный слой AlGaAs с градиентным составом, нижний эмиттерный слой AlGaAs n-типа, нижнюю часть из GaAs волноводного слоя, 5-15 слоев вертикально-коррелированных квантовых точек, разделенных слоями GaAs, верхнюю часть волноводного слоя, верхний эмиттерный слой AlGaAs р-типа, верхний переходный слой с градиентным составом и контактный слой GaAs р-типа. Каждый слой вертикально-коррелированных квантовых точек содержит массив квантовых точек, самоорганизовавшийся из слоя InAs и заращенный слоем InGaAs. Технический результат заключается в уменьшении пороговой плотности тока и увеличении стабильности при сохранении высокой дифференциальной эффективности. 6 з.п. ф-лы, 9 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента