

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ФОТОННЫХ КРИСТАЛЛОВ СО СТРУКТУРОЙ ИНВЕРТИРОВАННОГО ОПАЛА

Номер публикации патента: 2383082

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2008140608/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L031/0256
Аналоги изобретения:	RU 2006133739 А, 27.03.2008. JP 2000233999 A, 29.08.2000. US 2005175774 A1, 11.08.2005. CN 1880519 A, 20.12.2006.

Имя заявителя:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет" (RU)
Изобретатели:	Климонский Сергей Олегович (RU) Синицкий Александр Сергеевич (RU) Бондаренко Евгений Алексеевич (RU) Михнев Леонид Васильевич (RU) Гусев Александр Сергеевич (RU) Каргин Николай Иванович (RU) Бондаренко Сергей Алексеевич (RU) Абрамова Вера Владимировна (RU) Самсонова Елена Валерьевна (RU)
Патентообладатели:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет" (RU)

Реферат

Изобретение относится к технологии оптоэлектроники и может быть использовано для получения полифункциональных пленочных инвертированных фотонных кристаллов с запрещенной зоной в видимой и ИК-области спектра, и пригоден для производства оптоэлектронных (электрооптических и магнитооптических) приборов на основе инвертированных фотонных кристаллов. Способ получения полифункциональных фотонных кристаллов со структурой инвертированного опала предусматривает использование в качестве темплата прямые фотонные кристаллы на основе полистирола. В качестве материалов, составляющих фотонный кристалл со структурой инвертированного опала, используются соединения с комбинированными оптическими, электрическими и магнитными свойствами Zn₂SiO₄, LiFe₅O₈, BaFe₁₂O₁₉, BaTiO₃, SrTiO₃, MgAl₂O₄ и Y₃Al₅O₁₂. Способ обеспечивает получение полифункциональных фотонных кристаллов со структурой инвертированного опала с низкой концентрацией дефектов (порядка одного на 2 мкм²) и обладающих фотонной запрещенной зоной в видимой и ближней ИК-области спектра. 3 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"