RU 2046163 C1, 20.10.1995. JP 1172299 A, 07.07.1989. JP 9132497 A, 20.05.1997. JP 53065299 A, 10.06.1978.
Имя заявителя:
Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Бирюкова Ирина Викторовна (RU) Палатников Михаил Николаевич (RU) Калинников Владимир Трофимович (RU)
Патентообладатели:
Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к промышленному производству монокристаллов, полученных из расплава методом Чохральского, и может быть использовано при поляризации сегнетоэлектриков с высокой температурой Кюри, преимущественно танталата лития. На монокристалле танталата лития путем шлифовки формируют контактную площадку, поверхность которой перпендикулярна оптической оси кристалла или имеет с ней острый угол. Монокристалл размещают между нижним сегментообразным или пластинчатым платиновым электродом и выполненным из проволоки диаметром 0,3-0,6 мм верхним кольцеобразным платиновым электродом через примыкающие к их поверхностям промежуточные слои. В качестве материала промежуточного слоя используют мелкодисперсный (40-100 мкм) порошок кристаллического твердого раствора LiNb1-xTaxO3, где 0,1x0,8, со связующей спиртовой добавкой в виде 94-96% этилового спирта при массовом соотношении спирта и порошка 1:2,5-3,5. Монокристалл устанавливают в отжиговую печь, нагревают со скоростью не более 70°С/ч до температуры на 20-80°С выше температуры Кюри монокристалла и пропускают через него электрический ток путем подачи на электроды поляризующего напряжения. Затем монокристалл охлаждают в режиме стабилизации тока при повышении величины напряжения в 1,2-1,5 раза до температуры на 90-110°С ниже температуры Кюри, и дальнейшее охлаждение ведут в режиме стабилизации поляризующего напряжения при уменьшении величины тока через монокристалл. При снижении величины тока в 3,0-4,5 раза от его стабилизированного значения подачу напряжения прекращают, после чего монокристалл охлаждают со скоростью естественного остывания. Охлаждение монокристалла до прекращения подачи поляризующего напряжения ведут со скоростью 15-30°С/ч. Способ позволяет повысить эффективность поляризации монокристаллов танталата лития, различающихся по ориентации, размерам и условиям выращивания. Формируемый промежуточный слой обеспечивает прочное и равномерное сцепление поверхности кристалла с электродами, а стабилизация тока и напряжения и фиксированная скорость охлаждения кристалла в области температуры Кюри позволяют гарантированно получать прозрачные, монодоменные кристаллы танталата лития без дополнительных дефектов в виде трещин и пробоев. 2 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента