Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Выставки Бизнес Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛЯРИЗАЦИИ МОНОКРИСТАЛЛА ТАНТАЛАТА ЛИТИЯ

Номер публикации патента: 2382837

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008147172/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B033/04   C30B029/30    
Аналоги изобретения: RU 2046163 C1, 20.10.1995. JP 1172299 A, 07.07.1989. JP 9132497 A, 20.05.1997. JP 53065299 A, 10.06.1978. 

Имя заявителя: Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (RU) 
Изобретатели: Бирюкова Ирина Викторовна (RU)
Палатников Михаил Николаевич (RU)
Калинников Владимир Трофимович (RU) 
Патентообладатели: Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (RU) 

Реферат


Изобретение относится к промышленному производству монокристаллов, полученных из расплава методом Чохральского, и может быть использовано при поляризации сегнетоэлектриков с высокой температурой Кюри, преимущественно танталата лития. На монокристалле танталата лития путем шлифовки формируют контактную площадку, поверхность которой перпендикулярна оптической оси кристалла или имеет с ней острый угол. Монокристалл размещают между нижним сегментообразным или пластинчатым платиновым электродом и выполненным из проволоки диаметром 0,3-0,6 мм верхним кольцеобразным платиновым электродом через примыкающие к их поверхностям промежуточные слои. В качестве материала промежуточного слоя используют мелкодисперсный (40-100 мкм) порошок кристаллического твердого раствора LiNb1-xTaxO3, где 0,1x0,8, со связующей спиртовой добавкой в виде 94-96% этилового спирта при массовом соотношении спирта и порошка 1:2,5-3,5. Монокристалл устанавливают в отжиговую печь, нагревают со скоростью не более 70°С/ч до температуры на 20-80°С выше температуры Кюри монокристалла и пропускают через него электрический ток путем подачи на электроды поляризующего напряжения. Затем монокристалл охлаждают в режиме стабилизации тока при повышении величины напряжения в 1,2-1,5 раза до температуры на 90-110°С ниже температуры Кюри, и дальнейшее охлаждение ведут в режиме стабилизации поляризующего напряжения при уменьшении величины тока через монокристалл. При снижении величины тока в 3,0-4,5 раза от его стабилизированного значения подачу напряжения прекращают, после чего монокристалл охлаждают со скоростью естественного остывания. Охлаждение монокристалла до прекращения подачи поляризующего напряжения ведут со скоростью 15-30°С/ч. Способ позволяет повысить эффективность поляризации монокристаллов танталата лития, различающихся по ориентации, размерам и условиям выращивания. Формируемый промежуточный слой обеспечивает прочное и равномерное сцепление поверхности кристалла с электродами, а стабилизация тока и напряжения и фиксированная скорость охлаждения кристалла в области температуры Кюри позволяют гарантированно получать прозрачные, монодоменные кристаллы танталата лития без дополнительных дефектов в виде трещин и пробоев. 2 з.п. ф-лы.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.222
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"