US 59944913 A, 31.08.1999. US 20042004200523 A1, 14.10.2004. US 2007277874 A1, 06.12.2007. US 5405453 A, 11.04.1995. RU 2308122 C1, 10.10.2007.
Имя заявителя:
Общество с ограниченной ответственностью "Национальная инновационная компания "Новые энергетические проекты" (ООО "Национальная инновационная компания "НЭП") (RU)
Изобретатели:
Андреев Вячеслав Михайлович (RU) Калюжный Николай Александрович (RU) Лантратов Владимир Михайлович (RU) Минтаиров Сергей Александрович (RU) Емельянов Виктор Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Общество с ограниченной ответственностью "Национальная инновационная компания "Новые энергетические проекты" (ООО "Национальная инновационная компания "НЭП") (RU)
Реферат
Согласно изобретению каскадный фотопреобразователь содержит эпитаксиальную структуру, тыльный металлический контакт и лицевую металлическую контактную сетку, а так же антиотражающее покрытие, при этом эпитаксиальная структура включает последовательно выращиваемые методом MOC-гидридной эпитаксии на подложке p-Ge нуклеационный слой n-Ga0,51In0,49P толщиной 170÷180 нм, буферный слой Ga0,99In0,01As толщиной не менее 0,5 мкм, нижний туннельный диод, включающий слой n-Al0,53In0,47P или n-AlGaInP толщиной 30÷50 нм, слой n++-GaAs толщиной 20÷30 нм, p++-AlGaAs слой толщиной 20÷30 нм, и широкозонный слой p-Al0,53In0,47P толщиной 20-50 нм или n-AlGaInP толщиной 30-50 нм, средний переход, включающий р+-слой тыльного потенциального барьера, осаждаемые при температуре 595÷605°С базовый p-Ga0,99In0,01As и эмиттерный n-Ga0,99In0,01As слои и слой широкозонного «окна» из n-AlGaAs или n-Ga0,51In0,49P толщиной 30÷120 нм, верхний туннельный диод, включающий слой n++-Ga0,51In0,49P или n++-GaAs толщиной 10÷20 нм и слой p++-AlGaAs толщиной 10÷20 нм, верхний элемент, выращиваемый при температуре 720÷730°С и включающий р+-слой тыльного потенциального барьера, базовый p-слой толщиной 0,35÷0,70 мкм, эмиттерный n-слой, выполненные из Ga0,51In0,49P, и n-слой широкозонного окна, а также n+-контактный слой. Техническим результатом изобретения является создание каскадных фотопреобразователей, которые обеспечивают повышение токов короткого замыкания отдельных переходов, увеличение напряжения холостого хода и фактора заполнения ВАХ, а также повышение КПД. 2 н. и 23 з.п. ф-лы, 11 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента