WINZEK B. et al. Recent developments in shape memory thin film. Materials Science and Engineering. A 378, 2004, pp.40-46. RU 2259415 C1, 27.08.2005. RU 2221076 C2, 10.01.2004. RU 2161853 C2, 10.01.2001. SU 501192 A, 30.01.1976. WO 01/78978 A2, 25.10.2001. US 5733667 A, 31.03.1998. US 4518444 A, 21.05.1985.
Имя заявителя:
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Кирилин Александр Геннадиевич (RU) Коледов Виктор Викторович (RU) Кучин Дмитрий Сергеевич (RU) Перов Евгений Петрович (RU) Ховайло Владимир Васильевич (RU) Шавров Владимир Григорьевич (RU)
Патентообладатели:
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к композитным функциональным материалам, сохраняющим остаточную деформацию при изгибе после снятия воздействия внешнего поля, в частности материалам с эффектом памяти формы, и может найти применение в машиностроении, приборостроении, радиоэлектронике, микромеханике, в технологии датчиков для испытания технических систем и др. Техническим результатом изобретения является усиление изгибной деформации, вызванной воздействием внешнего поля, расширение функциональных возможностей за счет достижения необратимого изменения формы материала в результате воздействия внешнего поля, а также повышение технологичности и упрощение автоматизированного массового производства материала. Материал содержит по крайней мере два слоя, прочно соединенных друг с другом по плоскости, один из которых выполнен из материала, обладающего обратимой деформацией при изменении внешнего поля в рабочем диапазоне, а второй слой выполнен из упругопластического материала, имеющего предел текучести, находящийся в интервале деформаций композитного функционального материала, возникающих в нем при изменении внешнего поля в рабочем диапазоне. В качестве внешнего поля используют температурное поле, магнитное поле или поле механических напряжений сжатия или растяжения, при этом материал слоев зависит от используемого внешнего поля. 3 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента