

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СВЕТОДИОДНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА

Номер публикации патента: 2381596

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2008130134/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L033/00
Аналоги изобретения:	RU 2306634 C1, 20.09.2007. RU 2277736 C1, 10.06.2006. RU 2262155 C1, 10.10.2005. RU 11400 U1, 16.09.1999. JP 2001085735 A, 30.03.2001. WO 2008/056632 A1, 15.05.2008. WO 2008/054994 A2, 08.05.2008. JP 2001085735 A, 30.03.2001.

Имя заявителя:	Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР" (RU)
Изобретатели:	Закгейм Дмитрий Александрович (RU)
Патентообладатели:	Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР" (RU)

Реферат

Светодиодная гетероструктура, согласно изобретению выполненная на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы Al_xIn_yGa_1-(x+y)N (0

1, 0

1) с р-n переходом, содержит n-контактный слой, выполненный из нитридного материала GaN, активную область с квантовыми ямами, образованными слоями, выполненными из нитридного материала In_yGa_1-yN, барьерный слой, выполненный из нитридного материала

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"