US 2007295266 A1, 27.12.2007. RU 2233013 C2, 20.07.2004. CN 101235284 A, 06.08.2008. WO 2005052996 A2, 09.06.2005. US 2006130741 A1, 22.06.2006.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт прикладной акустики" (RU)
Изобретатели:
Новичков Роман Владимирович (RU) Вакштейн Максим Сергеевич (RU) Нодова Екатерина Леонидовна (RU) Маняшин Алексей Олегович (RU) Тараскина Ирина Ивановна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт прикладной акустики" (RU)
Реферат
Изобретение относится к получению полупроводниковых квантовых точек типов ядро и ядро-оболочка методом коллоидного синтеза, которые могут быть использованы в производстве различных люминесцентных материалов, а также в качестве основы для производства сверхминиатюрных светодиодов, источников белого света, одноэлектронных транзисторов, нелинейно-оптических устройств, фоточувствительных и фотогальванических устройств. Способ получения полупроводниковых квантовых точек на основе халькогенидов металлов II или IV группы включает синтез ядер нанокристаллов из прекурсора, содержащего халькоген, и прекурсора, содержащего металл II или IV группы, с использованием органического растворителя и модификатора поверхности, в качестве которого используют (аминоалкил)триалкоксисиланы. Синтез ядер осуществляют при постоянной температуре в пределах от 150 до 250°С в течение от 15 с до 1 часа и дополнительно проводят обработку реакционной смеси, содержащей ядра нанокристаллов, УФ-светом в течение 1÷10 мин и ультразвуком в течение 5÷15 мин. Технический результат заключается в повышении фотостабильности полупроводниковых квантовых точек до 34%, способности диспергироваться как в неполярных, так и в полярных растворителях, при сохранении и увеличении квантового выхода. 8 з.п. ф-лы, 1 табл., 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента