JP 6310788 А, 11.04.1994. RU 993758 С, 15.07.1994. SU 1545903 A1, 15.01.1994. US 4240043 A, 16.12.1980.
Имя заявителя:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Изобретатели:
Бохан Петр Артемович (RU) Закревский Дмитрий Эдуардович (RU) Бельская Екатерина Викторовна (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)
Реферат
Газовый лазер с электронным пучком содержит высоковольтный источник питания, резонатор, размещенную в резонаторе лазерную кювету, заполненную рабочим газом, который является активной средой. В составе лазерной кюветы выполнен источник электронов в виде пустотелого катода и анода, размещенного в пустотелом катоде с образованием разрядного промежутка. Между катодом и анодом выполнены диэлектрические вставки, размещенные друг относительно друга с зазором, с возможностью формирования в источнике электронов прикатодных полостей, с размером по направлению к центру лазерной кюветы, обеспечивающим образование пространственных областей с низким градиентом потенциала, локализованных между катодом и диэлектрическими вставками. Анод реализован с возможностью отсутствия перехвата им электронов. Технический результат заключается в повышении коэффициента полезного действия лазера, мощности генерации излучения и достижении возможности функционирования устройства с осуществлением разряда как в импульсном, так и в непрерывном режиме. 10 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента