Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBVI

Номер публикации патента: 2380461

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008141474/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B011/02   C30B029/48    
Аналоги изобретения: RU 1431391 C, 15.03.1994. FR 2551093 A1, 01.03.1985. FR 2345253 A1, 21.10.1977. 

Имя заявителя: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "ГИРЕДМЕТ"(ОАО"ГИРЕДМЕТ"), RU (RU) 
Изобретатели: Аверичкин Павел Андреевич (RU)
Коновалов Александр Аполлонович (RU)
Шлёнский Алексей Александрович (RU)
Шматов Николай Иванович (RU) 
Патентообладатели: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "ГИРЕДМЕТ"(ОАО"ГИРЕДМЕТ"), RU (RU) 

Реферат


Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения полупроводниковых кристаллов из расплавов для создания структурно-совершенных монокристаллических подложек, и может быть использовано при формировании эпитаксиальных структур и приготовлении рабочих тел электрооптических модуляторов, работающих в ИК-области спектра. Способ осуществляют методом вертикально-направленной кристаллизации в кварцевой ампуле с внутренним покрытием из чередующихся слоев -SiO2 и -SiO1.5:Cn, где n=1,0÷4,0, в донной части ампулы в покрытии выполнено отверстие диаметром 3-5 мм на всю высоту слоя покрытия, а кварцевую донную поверхность ампулы без покрытия предварительно активируют плавиковой кислотой. Техническим результатом изобретения является увеличение выхода монокристаллической части в слитках. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"