RU 2313156 C1, 20.12.2007. RU 2278444 C1, 20.06.2006. RU 2212730 C2, 20.09.2003. US 2004096688 A1, 20.05.2004. WO 2007010927 A1, 25.01.2007.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU), ЗАО "ВЗПП-Микрон" (RU), ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов - Сборка" (RU)
Изобретатели:
Зенин Виктор Васильевич (RU) Бокарев Дмитрий Игоревич (RU) Гальцев Вячеслав Петрович (RU) Кастрюлёв Александр Николаевич (RU) Кочергин Александр Валерьевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU) ЗАО "ВЗПП-Микрон" (RU) ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов - Сборка" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса, и размещение между кристаллом и корпусом фольги из цинка, и пайку к основанию корпуса. Новым в способе является то, что на основание корпуса наносят алюминиевую металлизацию, а пайку проводят в защитной среде при температуре 419-440°С. Техническим результатом изобретения является: исключение использования свинца при пайке, снижение себестоимости производства, упрощение технологии сборки, снижение трудоемкости изготовления, повышение температуры нагрева полупроводниковых изделий при эксплуатации. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента