RU 2253695 C2, 10.06.2005. RU 2153206 C2, 20.07.2000. US 7413814 B2, 19.08.2008. US 6589599 A, 05.07.2003. US 6783696 A, 31.08.2004.
Имя заявителя:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Ефимов Валерий Михайлович (RU) Есаев Дмитрий Георгиевич (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Реферат
Изобретение относится к области вакуумной технологии для поддержания высокого вакуума в различных приборах, в особенности к области вакуумирования полупроводниковых приборов, и может быть использован при разработке конструкций инфракрасных фотоприемников, помещаемых в герметичный вакуумный корпус. Геттерный элемент состоит из пористого геттерирующего вещества, на поверхность которого нанесена несплошная металлическая пленка, причем соседние области отдельных частей несплошной металлической пленки соединены друг с другом хотя бы в одной точке, и с двух противоположных сторон геттерного элемента к крайним областям несплошной металлической пленки выполнены омические контакты. Техническим результатом является то, что одновременно решается проблема защиты поверхности геттерного элемента от выделения частиц, ухудшающих вакуум, и проблема активации геттерного элемента электрическим нагревом. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента