SU 1825425 A3, 30.06.1993. JP 2007286574 А, 01.11.2007. RU 2012918 С1, 15.05.1994. US 2006166131, 27.07.2006. JP 1291242 A, 22.11.1989. SU 1364051 A1, 20.07.1996. SU 781745 A1, 23.11.1980. SU 744426 A1, 30.06.1980.
Имя заявителя:
Институт Высокомолекулярных соединений Российской Академии наук (RU), Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет) (СПб ГТИ (ТУ) (RU)
Изобретатели:
Рудая Людмила Ивановна (RU) Шаманин Валерий Владимирович (RU) Лебедева Галина Константиновна (RU) Климова Наталья Владимировна (RU) Большаков Максим Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Институт Высокомолекулярных соединений Российской Академии наук (RU) Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет) (СПб ГТИ (ТУ) (RU)
Реферат
Изобретение относится к способу получения термостойкого позитивного фоторезиста, который используется в качестве защитного покрытия и межслойной изоляции в многоуровневых электронных приборах и устройствах. Сущность способа получения позитивного термостойкого фоторезиста заключается в поликонденсации дихлорида изофталевой кислоты со смесью 3,3'-дигидрокси-4,4'-диаминодифенилметана и бис-(3-аминопропил)диметилсилоксана в амидном растворителе при соотношении аминных компонентов от 9:1 до 1:9 мол.%. Раствор светочувствительного компонента ,-бис-нафтохинондиазидо-(1,2)-5-сульфоэфир-(4-гидроксифенил)пропана в амидном растворителе добавляют непосредственно в реакционную массу после завершения реакции поликонденсации. При этом для получения фоторезиста выбирают следующие соотношения компонентов, мас.%: реакционный раствор поли(о-гидроксиамида) - 80-90; ,-бис-нафтохинондиазидо-(1,2)-5-сульфоэфир-(4-гидроксифенил)пропан - 1,5-6,5; амидный растворитель - остальное. Полученный термостойкий позитивный фоторезист надежно обеспечивает формирование высокоразрешенного, адгезионнопрочного, химически стойкого позитивного микрорельефа на смешанных, в том числе кремнийсодержащих, субстратах. 2 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента