RU 1371475 С, 15.05.1994. RU 2035807 C1, 20.05.1995. RU 2014669 C1, 15.06.1994. RU 2006137980 A, 27.04.2008. US 4442592 A, 17.04.1984. WO 9744831 A1, 27.11.1997.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Еремин Владимир Константинович (RU) Вербицкая Елена Михайловна (RU) Еремин Игорь Владимирович (RU) Тубольцев Юрий Владимирович (RU) Егоров Николай Николаевич (RU) Голубков Сергей Александрович (RU) Коньков Константин Анатольевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: при изготовлении детектора короткопробежных частиц легируют ионной имплантацией в окно поверхностный слой кремния на стороне p-n перехода примесью p-типа, а на омической стороне примесью n-типа дозой 1015-1016 при энергии ионов 500-2000 кэВ, отжигают имплантированные слои при температуре 850-950°С в течение 1-2 часов. Затем проводят химическое травление в окне на омической стороне на глубину среднего пробега имплантированных в кремний ионов. Техническим результатом изобретения является создание детектора короткопробежных частиц с уменьшенной толщиной нечувствительных слоев на поверхности и низким уровнем темнового тока. 5 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента