Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Номер публикации патента: 2378421

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008142793/15 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C30B015/00   C30B029/06    
Аналоги изобретения: JP 45014892 В, 26.05.1970. SU 1709767 A1, 10.05.1997. US 4913199 A, 03.04.1990. 

Имя заявителя: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский федеральный университет" (RU) 
Изобретатели: Леонов Виктор Васильевич (RU) 
Патентообладатели: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский федеральный университет" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для выращивания кристаллов кремния из кварцевых тиглей по методу Чохральского. Способ включает плавление, выращивание кристалла кремния из расплава в камере печи 2 с последующим охлаждением и удалением остатков расплава кремния из тигля 1 путем создания перепада давления между камерой печи 2 и камерой 5 резервуара-хранилища 4 с одновременным перекачиванием остатков расплава кремния по трубке 3, один конец которой помещают в остаток расплава в тигле 1, а другой конец - в водоохлаждаемый резервуар-хранилище 4, при этом остаток расплава кремния, оставленный в кварцевом тигле, не должен превышать 10 мм. Технический результат изобретения заключается в сокращении затрат за счет исключения разрушения кварцевых тиглей и увеличения кратности их использования, а также возможности вторичного использования остатков кремния при последующем периодическом процессе выращивания кристаллов. 1 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"