Изобретение относится к способу и аппарату магнетронного распыления и позволяет значительно уменьшить аномальный разряд на поверхности мишени и неразмытые области, вызывающие отложение материала мишени. Несколько мишеней (8А, 8В, 8С, 8D) располагаются в вакууме так, чтобы быть электрически не зависимыми друг от друга, и распыление проводится путем создания магнетронного разряда вблизи мишеней (8А, 8В, 8С, 8D). Во время распыления к соседним мишеням (8А, 8В, 8С 8D) поочередно прикладываются напряжения, имеющие разность фаз 180 градусов, с определенным временным профилем. 2 н. и 5 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента