Глебовский Вадим Георгиевич (RU) Семенов Валерий Николаевич (RU) Божко Сергей Иванович (RU) Штинов Евгений Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Глебовский Вадим Георгиевич (RU)
Реферат
Изобретение относится к металлургии высокочистых металлов и может быть использовано при выращивании совершенных кристаллов переходных и тугоплавких металлов. В способе образец тугоплавкого металла в виде монокристалла с объемно-центрированной кубической (ОЦК) решеткой с ориентировкой роста <111> подвергают пластической деформации за один проход в плоскости прокатки <112> со степенью обжатия 5-6% в вакуумном прокатном стане при температуре 900°С до получения наклепанного монокристалла. Затем его подвергают безградиентному высокотемпературному отжигу при температуре 2500°С путем помещения в цилиндрический контейнер, установки его с помощью держателей коаксиально электронной пушке и разогрева в вакуумной камере расфокусированным электронным пучком до получения образца с несколькими зернами размером более 25 мм без радиационного повреждения поверхности образца. Устройство для реализации способа содержит вакуумную охлаждаемую камеру, электронно-лучевую пушку, держатели, опоры, обрабатываемый материал в виде наклепанного монокристалла тугоплавкого металла и контейнер. При этом контейнер выполнен с возможностью при помощи держателей установки коаксиально с электронной пушкой и разогрева расфокусированным электронным пучком. Техническим результатом является получение совершенных кристаллов тугоплавких металлов, имеющих ОЦК решетку с высоким структурно-кристаллографическим качеством при высоком выходе годных образцов. 2 н. и 2 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента