УЯНАЕВА А.И. и др. Новые технологии физиотерапии: применение одноразовых пакетов (ОП) с нативной лечебной грязью в комбинации с термокомпрессорами. Вестник восстановительной медицины, 2006, 1, с.21-24. RU 2306942, С1, 27.09.2007. МИХАЙЛОВА Р.И. и др. Эффективность грязелечения на Евпаторийском курорте у больных, страдающих болезнямипародонта // Ж. Стоматология, 1984, 3, с.36. ХОЛОПОВ А.П. Грязелечение. - Краснодар, 2003, с.135. Клиническая физиотерапия. / Под ред. В.В.Оржешковского. - Киев: Здоровя, 1984, с.173, 174. Грязелечение Тамбуканской иловой грязью. Методические рекомендации. - М., 2004, с.4-7, 26, 27. BARNATSKII V.V. «Effects of radon and peloid therapy on functional condition and quality of life in patients with seronegative spondyloarthritis», Vopr Kurortol Fizioter Lech Fiz Kult. 2005 May-Jun; (3): 26-30.
Имя заявителя:
Майдан Александр Иванович (RU), Школьный Владимир Николаевич (RU)
Изобретатели:
Майдан Александр Иванович (RU) Школьный Владимир Николаевич (RU) Майдан Иван Александрович (RU) Школьный Вячеслав Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Майдан Александр Иванович (RU) Школьный Владимир Николаевич (RU)
Реферат
Изобретение относится к медицине, а именно к физиотерапии. Наполняют гомогенизированной нативной грязью озера Тамбукан оболочку тампона - аппликатора. При этом используют гомогенизированную нативную грязь Озера Тамбукан, содержащую (% масс): кристаллический скелет 15,0-25,0, коллоидный комплекс 10,0-20,0 и грязевой раствор - остальное. Тампон-аппликатор размещают в дополнительной свето- и газонепроницаемой оболочке и нагревают до 36-40°С. После чего аппликатор извлекают из свето- и газонепроницаемой оболочки. Нагретый аппликатор располагают на область проекции органа человека, помещают сверху грелку, предварительно нагретую до температуры не ниже 50°С. Процедуру проводят в течение не свыше 30 минут. Способ повышает эффективность восстановительного лечения заболеваний за счет максимального сохранения лечебных свойств предварительно подготовленной лечебной грязи. 8 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента