Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ПОСАДКИ КРЕМНИЕВОГО КРИСТАЛЛА НА ОСНОВАНИЕ КОРПУСА

Номер публикации патента: 2375787

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2005141101/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L021/58    
Аналоги изобретения: МАЗЕЛЬ Е.З., ПРЕСС Ф.П. Планарная технология кремниевых приборов. - М.: Энергия. 1974, с.318-321. RU 2173913 С2, 20.09.2001. SU 1674293 A1, 30.08.1991. US 4480261 A, 30.10.1984. WO 82/02457 A1, 22.07.1982. EP 0142692 A1, 29.05.1985. EP 0833384 A2, 01.04.1998. JP 58064036 A, 16.04.1983. 

Имя заявителя: ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (ДГТУ) (RU) 
Изобретатели: Исмаилов Тагир Абдурашидович (RU)
Шахмаева Айшат Расуловна (RU)
Шангереева Бийке Алиевна (RU) 
Патентообладатели: ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (ДГТУ) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе посадки кремниевого кристалла на основание корпуса полупроводникового прибора, включающем последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металлов и пайку кристалла к основанию корпуса, напыляют на посадочную поверхность кристалла два металла титан - германий, процесс проводят в едином технологическом цикле, а пайку кристалла к основанию корпуса проводят при температуре 300-320°С. Техническим результатом изобретения является повышение надежности контакта кристалла с основанием корпуса и стабильности процесса присоединения.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"