RU 2313156 C1, 20.12.2007. RU 2278444 C1, 20.06.2006. RU 2212730 C2, 20.09.2003. US 2004096688 A1, 20.05.2004. WO 2007010927 A1, 25.01.2007.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU), ЗАО "ВЗПП-Микрон" (RU), ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка" (RU)
Изобретатели:
Зенин Виктор Васильевич (RU) Кочергин Александр Валерьевич (RU) Фоменко Юрий Леонидович (RU) Хишко Ольга Владимировна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" (RU) ЗАО "ВЗПП-Микрон" (RU) ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при сборке кремниевых кристаллов в корпусе полупроводниковых приборов путем бессвинцовой пайки. Сущность изобретения: способ бессвинцовой контактно-реактивной пайки полупроводникового кристалла к корпусу с образованием эвтектики Al-Zn включает нанесение алюминия и олова на паяемые поверхности соответственно кристалла и корпуса и размещение между кристаллом и корпусом фольги из цинка и пайку к основанию корпуса. При этом на основание корпуса наносят алюминиевую металлизацию, между кристаллом и корпусом размещают фольгу припоя состава 20Zn/80Sn (вес.%), а пайку проводят в защитной среде при температуре 420-430°С. Техническим результатом изобретения является: снижение трудоемкости изготовления и повышение предельно допустимой температуры нагрева полупроводниковых приборов при их эксплуатации.
Поиск патентов
Получить полное описание патента