Handbook of semiconductor manufacturing technology. Y.Nishi, R.Doering, Marcell Dekker Inc., N.Y., USA, 2000, p.342-345. Маликов И.В. и др. Газофазное осаждение тонких пленок вольфрама с применением ВЧ-активации», Высокочистые вещества, 1991, 4, с.177-182. SU 1823712 A1, 27.04.1996. WO 2007/004443 A1, 11.01.2007. US 5997950 A, 07.12.1999. JP 60057925 A, 03.04.1985.
Имя заявителя:
Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (RU)
Изобретатели:
Плющева Светлана Всеволодовна (RU) Шаповал Сергей Юрьевич (RU) Михайлов Геннадий Михайлович (RU) Андреева Александра Викторовна (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (RU)
Реферат
Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных схем, при формировании электродов в транзисторах и обкладок конденсаторов, при формировании контактов и проводящих областей на поверхности кремния, в качестве проводящих, термостабильных и барьерных слоев в системах металлизации. Сущность изобретения: способ изготовления тонкопленочной металлической структуры вольфрама на кремнии включает создание на подложке из кремния нанометрового подслоя адгезионного промотера и последующее нанесение тонкой пленки вольфрама методом газофазного химического осаждения по реакции восстановления гексафторида вольфрама водородом при пониженном давлении. В качестве адгезионного промотера используют силицид вольфрама W5Si3. Изобретение позволяет улучшить качество получаемой металлической структуры вольфрама на кремнии с одновременным упрощением технологического процесса. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента