Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СОСТАВ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА

Номер публикации патента: 2374207

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007119495/03 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: C04B035/475    
Аналоги изобретения: Yasushi Idemoto et al. Crystal structure and ferroelectric properties of (Bi,La)4Ti3O12 as a bulk ferroelectric material, Solid state Communications 128, 2003, p.255-259. SU 1544754 A1, 23.02.1990. SU 1250553 A1, 15.08.1986. SU 1169959 A1, 30.07.1985. GB 2429201 A, 21.02.2007. KR 20030042482 A, 02.06.2003. 

Имя заявителя: Учреждение Российской академии наук Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов имени И.В.Гребенщикова РАН (RU) 
Изобретатели: Жабрев Валентин Александрович (RU)
Ефименко Людмила Павловна (RU)
Барышников Вячеслав Георгиевич (RU)
Афанасьев Валентин Петрович (RU) 
Патентообладатели: Учреждение Российской академии наук Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов имени И.В.Гребенщикова РАН (RU) 

Реферат


Изобретение относится к композициям на основе титаната висмута, предназначенным для получения сегнетоэлектрических материалов, и может быть использовано в микроэлектронике для усовершенствования перепрограммируемых запоминающих устройств, а также в акусто- и оптоэлектронике для модернизации радиотехнических конденсаторов, пьезоэлектрических преобразователей и фильтров, гидроакустических устройств, пироэлектрических приемников инфракрасного излучения. Техническим результатом является повышение диэлектрической проницаемости материалов путем повышения однородности состава сегнетоэлектрических материалов. Композиция для получения сегнетоэлектрического материала включает следующие компоненты, мол.%: Вi2O3 17,4-22,8; LaCl3 8,71-11,4; TiO2 32,7-42,7; KNO3 32,1-41,2. Для образцов, полученных из данного состава, значение диэлектрической проницаемости составило 220-240 в диапазоне частот 1-1000 кГц при комнатной температуре. 1 табл, 1 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"