US 2004/0197613 A1, 07.10.2003. WO 2005070466 A1, 01.09.2005. RU 2099813 C1, 20.12.1997. RU 2283691 C1, 20.09.2006. RU 2291229 C1, 10.07.2007.
Имя заявителя:
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) (RU), Учреждение Российской академии наук Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН) (RU)
Изобретатели:
Старков Виталий Васильевич (RU) Алдошин Сергей Михайлович (RU) Добровольский Юрий Анатольевич (RU) Лысков Николай Викторович (RU) Сангинов Евгений Александрович (RU) Писарева Анна Владимировна (RU) Волков Евгений Витальевич (RU)
Патентообладатели:
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук (ИПТМ РАН) (RU) Учреждение Российской академии наук Институт проблем химической физики РАН (ИПХФ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к получению мембран. Предложена композитная протонпроводящая мембрана, которая содержит пористую кремниевую структуру, выполненную из макропористого кремния, причем на поверхности кремния и стенках пор размещено покрытие, выполненное из диэлектрика, при этом поры заполнены электролитом на основе протонпроводящего полимерного материала, выбранного из группы электролитов на основе поливинилового спирта, этерифицированного фенолсульфокислотами, в соотношение поливинилового спирта к фенолсульфокислотам в электролите от 2:1 до 10:1. Мембрану получают из кремния с низкой проводимостью, в котором анодным травлением изготовливают поры с диаметром от 0,5 мкм до 150 мкм, покрывают поверхность кремния, включая стенки пор, слоем диэлектрика и заполняют поры полимерным материалом, выбранным из группы электролитов на основе поливинилового спирта, этерифицированного фенолсульфокислотами. Изобретение направлено на расширение области применения устройств на основе предлагаемых мембран за счет обеспечения их работоспособности с высокой протонной проводимостью при комнатных температуре и влажности. 2 н. и 6 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента