RU 2265915 C1, 10.12.2005. RU 2217845 C1, 27.11.2003. RU 2127471 C1, 10.03.1999. RU 2127009, 27.02.1999. SU 434872 A, 24.12.1976. US 3948682 A, 06.04.1976. US 2006118900 A1, 06.04.1976.
Имя заявителя:
Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийскй научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) (RU)
Изобретатели:
Арбузов Юрий Дмитриевич (RU) Евдокимов Владимир Михайлович (RU) Стребков Дмитрий Семёнович (RU) Шеповалова Ольга Вячеславовна (RU)
Патентообладатели:
Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийскй научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ) (RU)
Реферат
Полупроводниковый фотоэлектрический генератор содержит подложку, диодную структуру из полупроводниковых слоев, просветляющее покрытие, металлические контакты, состоит из множества осажденных на подложке слоев, образующих диодные планарные n+-p-p+ (р+-n-n+); n-р структуры, соединенные последовательно по направлению распространения излучения. Слои одного типа содержат металлические нанокластеры размером 5÷38 нм с концентрацией нанокластеров в указанных слоях не более (1÷10)·10-2 объемных долей. Расстояние между нанокластерами и представляющими полупроводниковые нанокристаллы слоями другого типа не более 1200 нм. Один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышают диффузионной длины неосновных носителей тока в базовой области, а толщина диодной структуры в направлении распространения излучения обратно пропорциональна максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале. Способ изготовления планарного полупроводникового фотоэлектрического генератора включает создание диодной структуры из полупроводниковых слоев на полупроводниковой подложке, нанесение просветляющего покрытия, металлизацию. Путем последовательного осаждения полупроводниковых слоев создают множество слоев толщиной 8 нм - 20 мкм, образующих диодные планарные n+-р-р+ (p+-n-n+); n-p структуры. В слои одного типа вводят металлические нанокластеры размером 5÷38 нм с концентрацией нанокластеров в указанных слоях не более (1÷10)·10-2 объемных долей, а слои другого типа выполняют в виде полупроводниковых нанокристаллов, при этом расстояние между нанокластерами и указанными нанокристаллами не более 1200 нм, при этом один или два линейных размера каждой диодной структуры не превышают диффузионной длины неосновных носителей тока в базовой области, а толщины диодных структур в направлении распространения излучения обратно-пропорциональны максимальному коэффициенту поглощения излучения в полупроводниковом материале, при этом устраняют запирающий эффект обратносмещенных переходов, образуя последовательное соединение структур по направлению распространения излучения. Запирающий эффект обратносмещенных переходов могут устранять тем, что на полученную многослойную планарную матрицу подают импульсное напряжение и пробивают обратносмещенные переходы, образуя последовательное соединение структур по направлению распространения излучения. Изобретение обеспечивает повышение эффективности преобразования электромагнитного излучения. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента