

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

НАНОЭЛЕКТРОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СМЕСИТЕЛЬНЫЙ ДИОД

Номер публикации патента: 2372694

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2008133817/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01L029/72 B82B001/00
Аналоги изобретения:	US 6229153 В1, 08.05.2001. US 6909108 В2, 21.07.2005. US 6469315 B1, 22.10.2002. JP 8116074 A, 07.05.1996. JP 6302837 A, 28.10.1994. JP 63124578 A, 28.05.1988. SU 1559993 А1, 09.08.1995.

Имя заявителя:	Федоров Игорь Борисович (RU), Шашурин Василий Дмитриевич (RU), Иванов Юрий Александрович (RU), Мешков Сергей Анатольевич (RU), Гармаш Виктор Федосеевич (RU), Федоренко Иван Александрович (RU), Леушин Виталий Юрьевич (RU), Башков Валерий Михайлович (RU), Федоркова Нина Валентиновна (RU)
Изобретатели:	Федоров Игорь Борисович (RU) Шашурин Василий Дмитриевич (RU) Иванов Юрий Александрович (RU) Леушин Виталий Юрьевич (RU) Мешков Сергей Анатольевич (RU) Гармаш Виктор Федосеевич (RU) Федоренко Иван Александрович (RU) Башков Валерий Михайлович (RU) Федоркова Нина Валентиновна (RU)
Патентообладатели:	Федоров Игорь Борисович (RU) Шашурин Василий Дмитриевич (RU) Иванов Юрий Александрович (RU) Мешков Сергей Анатольевич (RU) Гармаш Виктор Федосеевич (RU) Федоренко Иван Александрович (RU) Леушин Виталий Юрьевич (RU) Башков Валерий Михайлович (RU) Федоркова Нина Валентиновна (RU)

Реферат

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и приборам радиотехники и может быть использовано для смешивания сигналов в радиотехнической и радиоизмерительной аппаратуре и в микроэлектромеханических системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs, спейсеров, выполненых из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выполненных из Al_yGa_1-yAs, где у - молярная доля Al, и расположенной между ними потенциальной ямы, различающихся шириной запрещенной зоны и толщиной слоя, потенциальная яма выполнена из GaAs и при концентрации Si в контактных областях 1×10¹⁸-3×10¹⁸ 1/см³ толщина слоя ямы составляет от 11 до 20 атомарных слоев, молярная доля Al в барьерных слоях составляет от 0,4 до 1, толщина барьера составляет от 6 до 30 атомарных слоев. Изобретение позволяет обеспечить создание смесительного диода с формой ВАХ, обеспечивающей расширение рабочей полосы частот при одновременном увеличении динамического диапазона и уменьшении потерь преобразования смесителя. 2 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"